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背景介绍作为重要的二维半导体材料,款折叠只需制冷硒化铟(InSe)具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率,款折叠只需制冷及超宽的光谱响应范围(从体相减薄至单层,带隙值可增加1.0eV)等特点,因而在电子和光电子器件,如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。
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